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Acterna扩充面向DSL市场的HST-3000手持测试仪   [2003-12-22]
Acterna公司近日宣布,推出一套完全集成铜线路、DSL和测试服务的单个可升级手持测试设备Acterna HST-3000,可用于全球各地的客户进行xDSL的安装、信息提供及排除故障。该公司也同时发布了新的DS3和ISDN BRI/PRI、低速DDS以及其他VoIP测试特性,包括SIP和其他专用信号格式,...    [阅读全文]
 
 
TCL采用ADI的芯片组开发新手机,已量产   [2003-12-22]
(作者:池安云) TCL移动通信有限公司日前表示,其采用ADI公司SoftFone芯片组开发的首款GSM手机成功通过全球认证论坛(GCF)测试之后已经投入批量生产。ADI公司随后宣布了与TCL在开发新手机项目上的进一步合作计划,预计2004年TCL将有更多的手机将基于ADI的SoftFone芯片组进...    [阅读全文]
 
 
TI推出采用90纳米开发的手机应用处理器   [2003-12-19]
日前,德州仪器(TI)推出了用于手机及移动设备的最新型应用处理器OMAP1710。据称它是TI第一款采用90纳米工艺技术开发的多媒体应用处理器,其功耗仅为当前TI应用处理器的50%,但性能提高了40%。OMAP1710处理器利用了与所有OMAP芯片相同的软件环境,从而使应用开发者及手机设计...    [阅读全文]
 
 
智原宣布通过3G Serial ATA技术的硅验证   [2003-12-19]
半导体IP和无晶圆厂ASIC厂商智原科技(Faraday Technology Corporation)最近宣布,其第三代(3G) Serial ATA解决方案实现了首次成功通过硅验证,而且显示了优秀的效能特点。据称PHY和控制器IP完全符合Serial ATA II标准。Serial ATA II标准是对Serial ATA 1.0标准的拓展。智...    [阅读全文]
 
 
UMC借助Ansoft软件提升电磁仿真水平   [2003-12-19]
台湾地区的芯片制造商联华电子(United Microelectronics, UMC)近日宣布,他们提高了基于CMOS制造工艺的无线射频设备的电磁场仿真水平。 该公司声称,他们利用电磁场建模工具把电磁仿真周期从数小时缩短到数分钟。不过他们承认,仿真水平的提高也有一部分归功于Ansoft公司...    [阅读全文]
 
 
风河加入两家开放源代码组织,加强对Linux的支持   [2003-12-19]
嵌入式软件及服务提供商美国风河系统公司(Wind River Systems)日前宣布,加入两个开放源代码组织—开放源代码开发实验室(OSDL)和Eclipse联盟。 OSDL是由致力于推广Linux操作系统的客户和技术公司组成的全球性组织。风河公司将与OSDL合作开发“运营商级Linux”(CGL)工具...    [阅读全文]
 
 
Actel推出小型封装技术,可替代高密度可编程KGD   [2003-12-19]
Actel公司最近推出了小外形封装技术,可将经测试和编程的FPGA封装到太空应用的多芯片模块(MCM)中。据称这种陶瓷芯片载体面栅(CCLG)新型封装能提供与裸片外形类似的产品,可消除MCM中与已知优良芯片(KGD, known good die)相关的处理、测试和编程挑战。 据了解,Actel同时宣...    [阅读全文]
 
 
复旦微电子获ARM7TDMI授权,开发消费电子处理器   [2003-12-19]
ARM公司日前宣布,上海复旦微电子股份有限公司已通过ARM代工计划获得ARM7TDMI微处理器内核授权。上海复旦微电子将采用ARM内核技术设计开发低功耗、低费用的音频、成像多媒体处理器,运用于消费电子产品中。该多媒体处理器将在中芯国际(SMIC)投片生产。 复旦微电子首席执...    [阅读全文]
 
 
华为采用CADENCE INCISIVE平台降低总验证时间   [2003-12-19]
Cadence Design Systems公司日前宣布,华为技术有限公司已经采用Cadence Incisive功能验证平台作为其纳米级IC的主要验证平台。 据了解,为了开发其新一代电信设备,华为技术有限公司已经在SystemC和多语言方式下评估了Cadence的Incisive平台和其他验证产品。 “Incisive...    [阅读全文]
 
 
东芝将推出65纳米嵌入式DRAM样片   [2003-12-19]
日本东芝公司(Toshiba)与其合作伙伴索尼公司日前表示,将于2004年3月前推出采用65nm工艺制造的嵌入式DRAM样片。 这两家公司在日前举行的IEEE国际电子器件会议(IEDM)上详细描述了65nm工艺技术。据称采用这项技术可生产出单元尺寸为仅为0.11平方微米的嵌入式DRAM。 双方...    [阅读全文]
 
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